小型濺射系統(tǒng) SS-DC?RF301的產(chǎn)品特性分析
這是一種使用濺射(通??s寫為濺射)的薄膜沉積裝置。 濺射成膜的特點是飛入基板的顆粒具有相對較大的能量,因此可以產(chǎn)生具有高附著力的強膜。 另一方面,由于等離子體是用氬氣和其他物質(zhì)制成的,并且這作用于基材,因此基板表面的粗糙度可能是一個問題。
該裝置是一種小型濺射裝置,配備一個2“磁控管陰極和一個板加熱機構(gòu)。 所有功能都封裝在JIS機架尺寸中,以追求節(jié)省空間和易用性。 我們還擁有與 UHV 兼容的飛濺設(shè)備,并配有交換室。
濺射是薄膜沉積的一個重要和突出的過程。在這個過程中,要鍍膜的基片被放置在一個含有惰性氣體(通常是氬氣)的真空室中,并對靶材施加負(fù)偏壓,在真空室中形成等離子體。此時,目標(biāo)被連接到陰極,而基片被連接到陽極。
來自等離子體的離子被加速到陰極,它們以足夠的能量撞擊目標(biāo),使一些原子或分子移位。這些來自靶材的濺射材料穿過腔體,沉積在基片表面。有時反應(yīng)氣體(例如氧氣或氮氣)被加入到氬氣中,同樣被施加負(fù)偏壓形成等離子體,與真空室中的濺射層原子發(fā)生反應(yīng)。上述反應(yīng)所產(chǎn)生產(chǎn)物沉積在基片表面這個過程被稱為反應(yīng)性濺射。
雖然體積小,但具有與成熟的濺射設(shè)備相同的規(guī)格和性能。
憑借其緊湊、輕巧和簡單的設(shè)計,它可以安裝在辦公桌的一半左右的空間內(nèi)。
電路板上下機制允許您任意設(shè)置目標(biāo)和電路板之間的距離。
基板加熱可以在高溫下進(jìn)行。
標(biāo)準(zhǔn)冷水機組僅允許使用電力和燃?xì)膺\行。
法蘭可互換,可以重新組合為向上濺射和向下濺射。
濺射電源可選擇直流或射頻。
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